DCDC和LDO区别及选型

2019-09-16 04:38字体:
  

  ,是相对于传统的线xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v,显然是不满足条件的。针对这种情况,才有了LDO类的电源转换芯片。LDO的静态

  DC-DC主要有buck(降压),boost(升压),buck-boost(升降压)三种(还有一些是从这3种演化来的)

  LDO在效率方面有个问题,就是它的效率大约等于输出电压比输入电压,所以当输出电压和输入电压相差较大时,效率低。

  如果是需要3.3V的电压,我用LDO 实现和用DCDC转换实现,有什么不同?

  就像手机的电源管理芯片,它里面是3种都用的(LDO,DC-DC,Charge pump),分别向不同的功能模块提供电压。

  在电子产品中,我们经常看到DC/DC、LDO的身影,它们有什么区别,在电子产品设计中该如何去选择及如何设计避免线路设计的缺陷?

  DC/DC是将某一直流输入电压转换成另一直流输出电压,常见的有升压式(Boost)、降压式(Buck)、升降压式和反相结构。LDO是low dropout voltage regulator的缩写,就是低压差线性稳压器。它们都是将一种输入电压稳定到某一电压,LDO只能作为降压式输出。在电源芯片选取时主要关注一下参数:

  1、输出电压。DC/DC输出电压可通过反馈电阻调节,LDO有固定输出和可调输出两种类型;

  2、输入输出电压差。输入输出电压差是LDO重要参数,由LDO输出电流与输入电流相等,压差越小,芯片内部功耗越小,效率越高。

  3、最大输出电流。LDO一般最大输出电流有几百mA,而DCDC最大输出电流有几A甚至更大。

  5、纹波/噪声。由DC/DC工作在开关状态导致其纹波/噪声要比LDO差,所以在设计时比较敏感的电路尽量选择LDO供电。

  6、效率。如果输入输出电压接近,选择LDO比DC/DC相对效率高,若压差大,选择DC/DC高,因LDO输出电流与输入电流基本相等,压降太大,耗在LDO上能量太大,效率就不高。

  以上参数在产品设计时都需要首先关注的,以避免打样回来或后期出现产品不能正工作,不稳定、效率低等问题。在现实中有接触到产品设计时没有细看芯片规格书,选用的DC-DC作为一级稳压后再经LDO稳压给整个系统供电,DC-DC输入电压是由电池输入,DC-DC规格要求最小输入电压3.2V,而电池耗电最小约3.2V,造成有些产品出现在低电状态系统出现异常状况。

  在选择DC-DC芯片时,要避免靠近敏感的弱信号,避免直接给这类电路直接供电。DC-DC工作的开关频率在设计时也是要考虑,避免出现开关频率直接或间接通过混频对信号干扰,在不确定下,最好把同步信号SYNC接由可控的PWM来调整工作在不同的开关频率下。

  这个课程,是从需求、外壳选型、芯片选型、原理图设计、PCB设计、制板、焊接、程序设计、调试、优化,一直到最终的产品,一条

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  信息高压开关二极管专为高压,高速开关应用而设计。该双二极管器件包含两个封装在SOT-23表面的电隔离高压开关二极管 无铅封装可用。 适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 无铅封装可用 S汽车前缀和其他需要独特站点和控制变更要求的应用程序; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息高压开关二极管专为高压,高速开关应用而设计。该双二极管器件包含两个封装在SOT-23表面的电隔离高压开关二极管 无铅封装可用。 适用于汽车和其他应用的NSV前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

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  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm

  信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装

  信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图

  信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图

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  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护- 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

  信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率>

  4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平...

  

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