据市调机构DRAMeXchange公布的调查报告指

2019-07-17 14:57字体:
  

  2018年已经走到了末尾,在这一年中,电子产业圈有各种高频词汇出现,例如,人工智能等等,但是绝对不能让人忽略的就是半导体,“芯痛”成了这一年对半导体产业的总结。

  半导体产业是个高投入、周期长、回报慢的高新技术产业,对于中国来说,与美日欧等发达国家还有一定的差距,如何缩小差距俨然已经成为政府和企业最为关注的议题。现在与非网小编就带大家来看一下现在中国哪些城市在半导体领域有突出表现。

  第一个城市是深圳,深圳在中国是一个发展迅速的城市,国内重要的芯片应用及设计产业基地就在这里,设计产业规模占全国的30%,还有许多著名的科技产业也在这里,在全国十大芯片设计企业中,有四家都在深圳。是国内最早一批开始进行芯片研发的企业,虽然在初期研发的芯片在性能上不能与高通相比,但是随着华为每年都投入大量的资金在研发芯片上,终于在今年有了大的突破,目前已经可以和苹果,高通等世界一流的公司平起平坐。

  海思芯片部门分为两个领域,一个是系统设备。一个是手机终端。华为的实力也在不断地增强,所以华为手机中绝大部分用的都是自家设计的芯片。在国内,中兴是仅次于华为电信运营商,也是有很多自己的技术专利的。前段时间美国中兴封杀安受害者,这次的芯片封杀让中兴彻底醒悟过来了,虽然差点面临倒闭,但是也给中兴通讯一个自主研发核心芯片改过自新的机会,相信经历过芯片之痛的中兴会更加强大。

  除此之外,ARM有着全球最具影响力的芯片技术,也决定将在深圳设置总部,我们知道的三星、华为、高通的处理器都是基于ARM授权后设计出来的芯片。深圳市还建立了一些研究院,如今深圳已经有一个近乎完整的产业链。

  第二个城市是上海,作为集成电路产业链最完整的地区,上海市涌现出中芯国际、华虹宏力、中微半导体和华大半导体等多家龙头企业。其中,中芯国际14nm制程已开始进入到客户导入阶段,明年上半年将实现量产;今年10月份,华虹集团六厂(华力二期)生产线英寸硅片进入工艺机台,开始28纳米芯片产品制造;中微半导体的介质刻蚀设备已打入台积电的7nm、10nm量产线亿元销售额位居国内第四大IC设计企业。

  说到芯片,怎么能少了武汉。2018年,武汉芯片设计领域销售额突破51亿元,相较去年增速达54.67%,排在香港、杭州后、发展增速位列全国第三,而从规模来看,2018年也首次排进了前十。

  2017年,长江储存研发出了一颗芯片,更高端的还在研发当中,这也就意味着我国的芯片在不断的进步。目前国际三大存储有三星电子,海力士,美光几乎占据整个市场。而在智能手机产业中,几乎所有的NAND闪存都依赖进口。武汉的长江存储是国家存储基地,未来可能在这里建设微电子学院,长江芯片研究院等。

  2018年4月,在武汉未来科技城投入使用的华为武汉研发基地内,将大力增加华为海思芯片的研发队伍,而“华为海思”为2018中国十大芯片设计企业之首;5月,全球第四大的集成电路设计企业联发科技,研发中心二期项目落户光谷;8月,全球半导体设计软件龙头新思科技,在武汉未来科技城投建的武汉全球研发中心封顶,武汉研发团队预计将扩大至500多人。西安

  西安对于半导体产业的扶持力度也是极大的,西安高新技术产业开发区管委会投资促进一局副局长马宁表示,“到2025年,西安高新区要围绕‘五大引领’,实施八个百亿级强基工程,打造八个千亿级产业集群,实现两个万亿级目标。”半导体产业是八个千亿级产业集群中的一个。

  三星电子在西安半导体产业发展过程中起到了积极的带头作用,2012年,西安高新区已成功引进三星电子存储芯片一期项目,总投资达100亿美元,占地面积共34.5万平方米。而在今年3月末,三星半导体存储芯片二期项目在西安市正式动工,二期项目投资额70亿美元,主要将量产V-NAND,计划2019年产线竣工。

  不只是三星,近年来美光、华为、中兴以及阿里、京东等行业龙头企业不断加大在西安投资。仅2017年,包括三星二期在内的,吉利、华润、华侨城、阿里巴巴、腾讯、亚马逊等36家知名企业相继落户西安,签约引进项目847个,投资规模达2.35万亿元,达到历年最高。西安这片投资沃土的国际竞争力和影响力正在逐步显现。

  目前,西安已形成从原材料和设备的研发生产,到设计、制造、封装、测试及系统应用的完整产业链。不仅如此,这对于陕西省半导体产业的上下游集聚和人才培养,起到了巨大的带动作用。

  2016年,南京市政府经发委相关负责人提出,到2020年,南京市集成电路产业规模将达500亿元,年均增幅60%以上。同年,江北新区被正式列为省级集成电路产业发展基地。

  2016年7月,全球最大晶圆代工企业台积电的工厂落户新区,为南京致力打造“芯片之城”奠定了基础,也起到了良好的带头作用。该项目总投资约30亿美元,2018年正式投产后,年销售有望达20亿美元以上。

  2017年2月,总投资300亿元美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目正式宣布开工。紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩。

  2018中国半导体市场年会暨IC中国峰会选择在南京召开,足见各方面对南京半导体产业发展的认可。

  无锡作为国家南方微电子工业基地,享有中国集成电路产业人才“黄埔军校”的盛誉。无锡在集成电路产业的实力强于同省排名靠前的苏州,在行业内的曝光率也高于苏州。“十三五”期间无锡针对集成电路设立总规模200亿元的产业投资基金,2017年初无锡出台《关于进一步支持集成电路产业发展的政策意见》,着力强化政策引导,致力于打造“东方硅谷”。

  2017年,无锡市集成电路产业产值达到892亿元,同比增长11%。目前无锡已有各类集成电路企业200余家,产业涉及电路设计、晶圆制造、封装测试、配套设备与材料等多个领域,不仅已形成IC 产业集群、拥有近5万名从业人员,还集聚了一批半导体设备工程、特殊气体等方面的配套企业。

  目前,无锡市集成电路产业企业共有200多家、从业人员近5万名。据江苏省半导体行业协会统计,2017年无锡集成电路三业总量占全国总量的12.39%,占全省总量的50.83%。其中设计业占全国总量的4.8%,全省总量的51.1%;晶圆制造占全国总量的14.46%,全省总量的85.14%;封测业占全国总量的19.14%,占全省总量的41.19%。

  苏州市同样属国内集成电路产业基础较好的城市之一,曾引进过英飞凌、飞兆半导体、AMD瑞萨等一系列国际大厂,2002年至2008年期间苏州集成电路几乎每年以超过30%的增速发展,基本形成以“IC设计—晶圆制造—IC封装测试”为核心,设备、材料及服务产业为支撑的集成电路产业链。

  不过,在经历了发展黄金期后,近年来苏州集成电路产业的发展速度不及无锡、南京等城市,但总体而言仍属国内集成电路重要城市之一,2016年苏州位列全国集成电路产值前十大城市之一。

  芯片被称之为“工业粮食”,“中兴事件”揭露出芯片短缺的可怕,我国自主研发替代芯片已经刻不容缓。近年来,中国半导体产业通过大规模的引进、消化、吸收以及产业的重点建设,也许经过较长时间才能出现世界一流半导体设备企业,但边际上的成长和进步正在不断出现,应用场景的拓展,中国半导体产业规模将进一步发展。

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  和特点 低功耗:415 mW +5 V单电源 保证无失码 微分非线 LSB 片内采样保持放大器和基准电压源 信噪比(SNR):68.3 dB 无杂散动态范围(SFDR):81 dB 超量程指示 数据输出格式:标准二进制 28引脚SSOP封装 与3 V逻辑兼容产品详情 AD9224是一款单芯片、12位、40 MSPS模数转换器(ADC),采用单电源供电,内置一个片内高性能采样保持放大器和基准电压源。它采用多级差分流水线架构,内置输出纠错逻辑,在40 MSPS数据速率时可提供12位精度,并保证在整个工作温度范围内无失码。 方框图...

  和特点 低功耗:280 mW +5V单电源 保证无失码 微分非线 LSB 片内采样保持放大器和基准电压源 信噪比(SNR):71 dB 无杂散动态范围(SFDR):-85 dB 超量程指示 数据输出格式:标准二进制 28引脚SOIC封装 28引脚SSOP封装 与3 V逻辑兼容产品详情 AD9225是一款单芯片、12位、25 MSPS模数转换器(ADC),采用单电源供电,内置一个片内高性能采样保持放大器和基准电压源。它采用多级差分流水线架构,内置输出纠错逻辑,在25 MSPS数据速率时可提供12位精度,并保证在整个工作温度范围内无失码。 方框图...

  和特点 采样速率:65 MSPS(最小值) 无杂散动态范围:80 dB 中频采样频率高达70 MHz 功耗:710 mW 5 V单电源供电 片内集成采样保持器和基准电压源 输出格式:二进制补码 3.3 V或5 V CMOS兼容输出电平产品详情 利用ADI公司突破性的数字无线电接收机设计,您可以稳操胜券地将可编程宽带无线电基站推向市场。这款先进的“软件”接收机基于ADI公司功能丰富的高性能芯片AD6640和AD6620。AD6640是一款宽带模数转换器,能够以65 MSPS的速率进行采样。AD6620是一款65 MSPS抽取接收机芯片,支持将同一无线电调谐到不同的信道,甚至支持不同的空中接口标准。AD6640采用业界领先的高动态范围宽带采样技术,能够一次性完成整个25 MHz频谱的数字化。因此,一个全数字宽带无线电就能取代多个模拟无线电,最终解决方案将更小、更灵活、更便于配置,有助于客户避免网络规划的不确定性。方框图...

  和特点 单芯片12位模数转换器产品系列 该系列包括:AD9221、AD9223和AD9220 灵活的采样速率:1.5 MSPS、3.0 MSPS和10 MSPS 低功耗:59 mW、100 mW和250 mW +5 V单电源 积分非线 LSB 微分非线 LSB 信噪比(SNR):70 dB;无杂散动态范围(SFDR):86 dB 超量程指示 28引脚SOIC和28引脚SSOP封装产品详情 AD9221、AD9223和AD9220均为新一代高性能、12位模数转换器,采用单电源供电。每款器件都具有线均采用相同的接口选项、封装和引脚排列。因此,该产品系列可根据性能、采样速率和功耗,向上或向下选择器件型号。这些器件的额定采样速率和功耗各不相同,体现在各自基于频率的动态性能上。AD9221/AD9223/AD9220采用高速、低成本的单CMOS工艺及新颖的架构,分辨率和速度均达到现有混合单芯片方案的水平,而功耗与成本却低得多。每款器件均为完整的单芯片ADC,内置片内高性能、低噪声采样保持放大器和可编程基准电压源。也可以选用外部基准电压,以满足应用的直流精度与温度漂移要求。这些器件采...

  和特点 低功耗:285 mW +5 V单电源 积分非线 LSB 微分非线 LSB 折合到输入端噪声:0.36 LSB 片内采样保持放大器和基准电压源 信纳比:77.5 dB 无杂散动态范围:90 dB 超量程指示 数据输出格式:标准二进制 44引脚MQFP封装产品详情 AD9240是一款10 MSPS、14位模数转换器(ADC),采用单电源供电。它采用高速、低成本的CMOS工艺及新颖的架构,分辨率和速度均达到现有混合方案的水平,而功耗与成本却低得多。这是一款完整的单芯片ADC,内置片内高性能、低噪声采样保持放大器和可编程基准电压源。也可以选用外部基准电压,以满足应用的直流精度与温度漂移要求。该器件采用多级差分流水线架构,内置数字输出纠错逻辑,在整个工作温度范围内保证无失码。AD9240的输入非常灵活,能够与成像、通信、医疗和数据采集系统实现轻松接口。真差分输入结构使单端输入和差分输入接口均支持各种输入范围。采样保持放大器(SHA)既适用于在连续通道中切换满量程电平的多路复用系统,也适合采用最高Nyquist速率及更高的频率对单通道输入进行采样。AD9240在采用直接IF下变频的通信系统中也有出色的表现,因为在差分输入模式...

  和特点 高线 kHz FS) ±0.2%(最大值,500 kHz FS) TTL/CMOS兼容输出 V/F或F/V转换 动态范围:60倍 电压或电流输入 可靠的单芯片结构 提供符合MIL-STD-883标准的版本产品详情 业界标准产品ADVFC32是一款低成本的单芯片电压频率(V/F)转换器或频率电压(F/V)转换器,具有良好的线%),且工作频率最高可达0.5 MHz。在V/F配置中,只需几个外部元件,就能将正或负的输入电压或电流转换为成比例的频率。对于F/V转换,需要使用同样的元件及一个简单的偏置网络,以支持宽范围的输入逻辑电平。V/F工作模式下,可利用开集频率输出实现TTL或CMOS兼容。上拉电阻可以连接到最高30 V的电压,或者连接到+15 V或+5 V电压,以支持传统CMOS或TTL逻辑电平。在要将流过开集输出的电流限制在最高8 mA时,应该选择此电阻。若是驱动高阻抗负载,可以使用较大的电阻。输入失调漂移仅为满量程的3ppm/°C,而低温度系数齐纳二极管使满量程校准漂移保持在100 ppm/°C (ADVFC32BH)以下。ADVFC32提供三种温度等级产品:商用、工业和...

  和特点 满量程频率(最高2 MHz)由外部系统时钟设置 极低的线 MHz FS) 无需关键外部元件 高精度5V基准电压源 低漂移:25 ppm/°C(最大值) 双电源或单电源供电 电压或电流输入 提供符合MIL-STD-883标准的版本产品详情 AD652同步电压频率转换器(SVFC)是一个功能强大的精密模数转换应用构建模块,100 kHz输出频率时的非线%)。传递函数固有的单调性和宽时钟频率范围使得转换时间和分辨率可以针对特定应用进行优化。AD652使用多种常用的电荷平衡技术来执行转换功能。它利用外部时钟定义满量程输出频率,而不是依赖于外部电容的稳定性。因此,传递函数更稳定、线性度更高,这对单通道和多通道系统都有很大好处。精密低漂移基准电压源和低温度系数片内薄膜调整电阻使增益漂移最小。此外,激光晶圆调整将初始增益误差降至0.5%以下。AD652的模拟和数字部分设计允许采用单端电源供电,从而简化隔离电源的使用。AD652按性能分为五种等级。JP级和KP级采用20引脚PLCC封装,额定工作温度范围为0°C至+70°C商用温度范围。AQ级和BQ级采用16引脚...

  和特点 低成本 单电源或双电源供电; 5 V至36 V, ±5 V 至 ±18 V 满量程频率最高达500 kHz 仅需极少的外部元件 多功能输入放大器- 正或负电压模式-负电流模式- 高输入阻抗、低漂移 低功耗:静态电流为2.0 mA 低失调:1 mV 产品详情 AD654是一款单芯片V/F转换器,由输入放大器、精密振荡器系统和高电流输出级组成。它只需要一个简单的RC网络,即可设置最高500 kHz的任意满量程(FS)频率和最高±30 V的任意FS输入电压。在250 kHz满量程时,线%,保证工作动态范围为80 dB。整体温度系数(不包括外部元件的影响)典型值为±50 ppm/°C。AD654采用5 V至36 V单电源供电,静态电流仅为2.0 mA。 低漂移(典型值4 µV/°C)输入放大器可以直接采用来自热电偶或应变计等的小信号工作,同时提供高输入阻抗(250 MΩ)。与大多数V/F转换器不同,AD654提供方波输出,可以驱动最多12个TTL负载、光耦合器、长电缆或类似负载。 方框图...

  和特点 低VOS(VBE匹配): 40 μV(典型值);100 μV(最大值) 低TCVOS: 0.5 μV/°C(最大值) 高hFE: 500(最小值) 出色的hFE线 mA 低噪声电压: 0.23 μV p-p(0.1 Hz至10 Hz) 高击穿电压: 45 V(最小值) 产品详情 MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h,包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益,适合在低功耗、低电平输入级中使用。 方框图...

  和特点 产品详情 AD53509是一款单芯片器件,用于在ATE VLSI和存储器测试仪中执行驱动器、比较器和有源负载的引脚电子功能。此外,它还内置一个用于有源负载的肖特基二极管桥和一个VCOM缓冲器。 驱动器采用专有设计,提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。输出电压范围为−2 V至+7 V,支持多种测试设备。整个信号范围内的输出漏电流典型值小于250 nA。 双通道比较器的输入范围与驱动器输出范围相同,内置锁存器并提供ECL兼容型输出。输出能够驱动端接到−2 V电压的50 Ω信号线路。信号跟踪能力大于5 V/ns。有源负载可以用来提供最高40 mA的负载电流,整个设置范围内的线 μA。IOH、IOL和缓冲VCOM均可独立调整。片上肖特基二极管具有高速开关和低电容特性。 片内还集成温度传感器,其作用是指示DCL的表面温度。可以利用此信息来测量θJC和θJA,或者在失去正常冷却功能时提示报警。传感器输出是一个与绝对温度成比例的吸电流。增益被调整到1.0 μA/K的标称值。例如,可以利用一个连接在10 V电压与THERM引脚之间的10 kΩ电阻来检测输出电流。该电阻上的压降为...

  和特点 驱动器欲了解更多信息,请参考数据手册比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU欲了解更多信息,请参考数据手册电平欲了解更多信息,请参考数据手册HVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V100引脚14 mm × 14 mm TQFP_EP封装功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE305是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE305支持两种输出电压范围:−2.0 V至+6.0 V和−1.5 V至+6.0 V。ADATE305既可以用作双单端驱动/接收通道,也可以用作单差分驱动/接收通道。每个通道都提供用于功能测试的高速窗口比较器,以及带FV/FI和MV/MI功能的单引脚PMU。DCL功能所需的全部直流电平都由片内14位DAC产生。单引脚PMU具有一...

  和特点 驱动器3电平驱动器,提供高阻态模式和内置箝位电路精密调整的输出电阻低泄漏模式:10 nA(典型值)电压范围:−2.0 V至+6.0 V脉冲宽带:2.4 ns(最小值),2 V端接比较器窗口和差分比较器输入等效带宽:500 MHz负载最大±12 mA电流能力单引脚PMU驱动电压范围:−2.0 V至+6.0 V5种电流范围:32 mA、2 mA、200 µA、20 µA、2 µA电平14位DAC提供DCL电平校准的INL典型值小于±5 mV16位DAC提供PMU电平FV模式下校准的INL线 mVHVOUT输出缓冲器输出范围:0 V至13.5 V84引脚、9 mm × 9 mm倒装芯片BGA封装 功耗:每通道900 mW(空载) 产品详情 ADATE304是一款完整的单芯片解决方案,用于在ATE应用中执行驱动器、比较器和有源负载(DCL)、单引脚(Per Pin) PMU、直流电平的引脚电子功能。它还内置一个HVOUT驱动器和VHH缓冲器,能够产生最高13.5 V的电压。驱动器提供三种有源状态:数据高电平状态、数据低电平状态和期限状态,以及一种抑制状态。抑制状态与集成动态箝位一起使用时,有利于实现高速有源端接。通过调整正负电源电压,ADATE304支持两种输出电压范围:...

  和特点 可指示累积的电池充电和放电电量 SMBus/I2C 接口 集成 50mΩ 高端检测电阻器 ±1A 检测电流范围 高准确度模拟积分 ADC 负责测量电池电压和温度 集成化温度传感器 1% 电压和充电准确度 可配置报警输出/充电完成输入 2.7V 至 5.5V 工作范围 静态电流小于 100μA 小外形 6 引脚 2mm x 3mm DFN 封装 产品详情 LTC®2942-1 可测量手持式 PC 和便携式产品应用中的电池充电状态、电池电压和芯片温度。其工作范围非常适合于单节锂离子电池。一个精准的库仑计量器负责对流经位于电池正端子和负载或充电器之间的一个检测电阻器的电流进行积分运算。电池电压和片内温度利用一个内部 14 位无延迟增量累加 (No Latency ΔΣ™) ADC 来测量。所测量的三种物理参数值 (电荷、电压和温度) 被存储于可通过板上 SMBus/I2C 接口进行存取的内部寄存器中。 LTC2942-1 具有针对所有三种测量物理量的可编程高门限和低门限。如果超过了某个编程门限,则该器件将采用 SMBus 报警协议或通过在内部状态寄存器中设定一个标记来传送一个报警信号。 集成检测电阻 LTC2942 否 LTC2942-1 是 应用 低功率手持式产品 蜂窝电话 M...

  和特点 宽带宽: DC - 50 GHz 9款衰减器产品:固定电平:0、2、3、4、6、10、15和20 dB 功率处理: +25 dBm HMC651和HMC658裸片尺寸: 0.57 x 0.45 x 0.1 mm HMC650, HMC652, HMC653, HMC654, HMC655, HMC656 和HMC657裸片尺寸: 0.42 x 0.45 x 0.1 mm产品详情 HMC650/651/652/653/654/655/656/657/658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。 宽带衰减器采用低电感片内过孔,无需额外的接地连接。 HMC650至HMC658背面镀金,适合共晶或环氧树脂芯片贴装。 所有9款产品均可通过相应的产品型号单独购买,或购买HMC-DK006固定衰减器芯片设计套件(含10件)。应用 光纤产品 微波无线电 军事和太空混合器件 测试与测量 科研仪器 RF/微波电路原型制作 方框图...

  和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V 小尺寸: 1.30 x 0.69 x 0.1 mm 产品详情 HMC365是低噪声的4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...

  和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +16 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.2 x 1.22 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH209是一款高动态范围、两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为55至65 GHz。 HMCABH209提供13 dB增益,采用+5V电源电压时具有+16 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 /pHMC-ABH209 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...

  和特点 增益: 16 dB (76 GHz) P1dB: +15 dBm 电源电压: +4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 2.20 x 0.87 x 0.1 mm 产品详情 HMC-AUH320是一款高动态范围的四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在71至86 GHz的频率下工作。 HMC-AUH320在74 GHz频率下提供16 dB的增益,在1 dB压缩点提供+15 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-AUH320 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...

  和特点 噪声系数: 5 dB P1dB: +7 dBm 增益: 13 dB 电源电压: +2.4V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.6 x 0.1 mm 产品详情 HMC-ALH508是一款三级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为71至86 GHz。 HMC-ALH508具有13 dB小信号增益、4.5 dB噪声系数和+7 dBm输出功率(1 dB压缩),分别采用2.1V和2.4V两个电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线局域网(LAN) 汽车雷达 军事和太空 E波段通信系统 方框图...

  和特点 出众的性能高单位增益带宽:50 MHz低电源电流:5.3 mA高压摆率:300 V/µs出色的视频特性驱动任何容性负载快速的0.1%建立时间(10 V步进):65 ns出色的直流性能5.5 V/mV高开环增益(PLOAD = 1 kΩ)低输入失调电压:0.5 mV额定工作电压:±5 V和±15 V提供多种选择塑料DIP和SOIC封装Cerdip封装裸片形式MIL-STD-883B工艺卷带和卷盘(EIA-481A标准)提供双通道版本:AD827(8引脚)LM6361的增强替代产品 产品详情 AD847代表高速放大器的一个突破,实现了低成本、低功耗的出众交流和直流性能。出色的直流性能表现在它±5 V的规格值,包括3500 V/V的开环增益(500Ω负载)和0.5 mV的低输入失调电压。共模抑制最低为78 dB。输出电压摆幅为±3 V(负载低至150Ω)。ADI公司还提供其他超过30种高速放大器,从低噪声AD829(1.7nV/√Hz)到终极的视频放大器AD811(差分增益0.01%,差分相位0.01°)。 方框图...

  和特点 增益: 12 dB P1dB输出功率: +14 dBm 稳定的温度增益 50 Ohm I/O 小尺寸: 0.38 x 0.58 x 0.1 mm 产品详情 HMC396芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至8 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC396提供12 dB的增益,+30 dBm的输出IP3,同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度,提供出色的温度增益稳定性,只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²),HMC396可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度为0.5mm (20 mils)的焊线连接。 应用 微波和VSAT无线电 测试设备 军用EW、ECM、C³I 空间电信方框图...

  和特点 输出IP3: +31 dBm P1dB: +22 dBm 增益: 20 dB (20 GHz) 电源电压: +4.5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.3 x 1.95 x 0.1 mm 产品详情 HMC-APH196是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17至30 GHz。 HMC-APH196在20 GHz下提供20 dB增益,采用+4.5V电源电压时具有+22 dBm输出功率(1 dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-APH196 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT 军事和太空 方框图...

  和特点 输出IP3: +25 dBm P1dB: +17 dBm 增益: 24 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 裸片尺寸: 3.2 x 1.42 x 0.1 mm 产品详情 THMC-ABH241是一款四级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为50至66 GHz。 HMC-ABH241提供24 dB增益,采用+5V电源电压时具有+17 dBm输出功率(1dB压缩)。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-ABH241 GaAs HEMT MMIC中等功率放大器兼容传统的芯片贴装方式,以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量链路 无线LAN网桥 军事和太空 方框图...

  和特点 宽IF带宽: DC - 18 GHz 无源双平衡拓扑结构 LO输入功率: +14 dBm 裸片尺寸: 1.55 x 1.4 x 0.1 mm 产品详情 HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器,采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术,可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-MDB277双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器,而且体积要小得多,性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。 应用 短程/高容量无线电 FCC E波段通信系统 汽车雷达 传感器 测试和测量设备 方框图...

  和特点 低功耗 精密电压监控器 ADM800L/M容差:±2% 复位时间延迟:200 ms或可调 待机电流:1 µA 备用电池电源自动切换 芯片使能信号快速片内选通 同时提供TSSOP封装(ADM691A)产品详情 ADM691A/ADM693A/ADM800L/ADM800M系列监控电路均为完整的单芯片解决方案,可实现微处理器系统中的电源监控和电池控制功能。这些功能包括微处理器复位、备用电池切换、看门狗定时器、CMOS RAM写保护和电源故障警告。该系列产品是MAX691A/93A/800M系列的升级产品。所有器件均提供16引脚DIP和SO封装。ADM691A同时提供节省空间的TSSOP封装。主要提供下列功能:启动、关断和掉电情况下的上电复位输出。即使VCC低至1 V,电路仍然可以工作。CMOS RAM、CMOS微处理器或其它低功耗逻辑的备用电池切换。如果可选的看门狗定时器在指定时间内未切换,则提供复位脉冲。1.25 V阈值检波器,用于电源故障警告、低电池电量检测或+5 V以外电源的监控。 方框图...

  和特点 低失调电压:400 μV(最大值) 高电流增益:300(最小值) 出色的电流增益匹配度:4%(最大值) 低电压噪声密度(100 Hz、1 mA):3 nV/√Hz(最大值) 出色的对数一致性:体电阻 rBE = 0.6 Ω (最大值) 所有晶体管保证匹配产品详情 MAT14是一款四通道单芯片NPN型晶体管,具有出色的参数匹配性能,适合精密放大器和非线的性能特征包括:在很宽的集电极电流范围内提供高增益(最小300)、低噪声(在100 Hz、IC = 1 mA条件下最大值为3 nV/√Hz)以及出色的对数一致性。失调电压典型值低至100 μV,精密电流增益匹配度可达4%以内。MAT14的每个晶体管均经过独立测试,符合数据手册性能规格。为使参数匹配(失调电压、输入失调电流和增益匹配),双晶体管组合中的每个晶体管均经过验证,达到了规定的限制要求。在25°C的环境温度和工业温度范围内保证器件性能。匹配参数的长度稳定性由各晶体管基极-发射极结上的保护二极管保证。这些二极管能够防止反向偏置基极-发射极电流导致β和匹配特性下降。MAT14的出色对数一致性和精确匹配特性使它非常适合用于对数和反对数电路。MAT14是需要低噪声和高增益的应用的理想选...

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