IC芯片封装特征在电磁干扰控制中的作用

2019-06-10 05:48字体:
  

  芯片是EMI最主要的能量来源,因此,如果能够深入了解集成电路芯片的内部特征,可以简化PCB和系统级设计中的EMI控制。

  在考虑EMI控制时,设计工程师及PCB板级设计工程师首先应该考虑IC芯片的选择。集成电路的某些特征如封装类型、偏置电压和芯片的:工艺技术(例如CMoS、ECI)等都对电磁干扰有很大的影响。下面将着重探讨IC对EMI控制的影响。

  PCB中集成电路EMI的来源主要有:数字集成电路从逻辑高到逻辑低之间转换或者从逻辑低到逻辑高之间转换过程中,输出端产生的方波信号频率导致的EMl信号电压和信号电流电场和磁场芯片自身的电容电感等。

  集成电路芯片输出端产生的方波中包含频率范围宽广的正弦谐波分量,这些正弦谐波分量构成工程师所关心的EMI频率成分。最高EMI频率也称为EMI发射带宽,它是信号上升时间(而不是信号频率)的函数。

  式中,厂是频率,单位是GHz;7r是信号上升时间或者下降时间,单位为ns。

  从上述公式中可以看出,如果电路的开关频率为50MHz,而采用的集成电路芯片的上升时间是1ns,那么该电路的最高EMI发射频率将达到350MHz,远远大于该电路的开关频率。而如果汇的—上升时间为5肋Fs,那么该电路的最高EMI发射频率将高达700MHz。

  电路中的每一个电压值都对应一定的电流,同样每一个电流都存在对应的电压。当IC的输出在逻辑高到逻辑低或者逻辑低到逻辑高之间变换时,这些信号电压和信号电流就会产生电场和磁场,而这些电场和磁场的最高频率就是发射带宽。电场和磁场的强度以及对外辐射的百分比,不仅是信号上升时间的函数,同时也取决于对信号源到负载点之间信号通道上电容和电感的控制的好坏,因此,信号源位于PCB板的汇内部,而负载位于其他的IC内部,这些IC可能在PCB上,也可能不在该PCB上。为了有效地控制EMI,不仅需要关注汇;芭片自身的电容和电感,同样需要重视PCB上存在的电容和电感。

  当信号电压与信号回路之间的锅合不紧密时,电路的电容就会减小,因而对电场的抑制作用就会减弱,从而使EMI增大;电路中的电流也存在同样的情况,如果电流同返回路径之间锅合不;佳,势必加大回路上的电感,从而增强了磁场,最终导致EMI增加。这充分说明,对电场控制不佳通常也会导致磁场抑制不佳。用来控制电路板中电磁场的措施与用来抑制IC封装中电磁场的措施大体相似。正如同PCB设计的情况,IC封装设计将极大地影响EMI。

  电路中相当一部分电磁辐射是由电源总线中的电压瞬变造成的。当汇的输出级发:跳变并驱动相连的PCB线为逻辑“高”时,汇芯片将从电源中吸纳电流,提供输出级月需的能量。对于IC不断转换所产生的超高频电流而言,电源总线姑子PCB上的去辊网络止于汇的输出级。如果输出级的信号上升时间为1.0ns,那么IC要在1.0ns这么短的时P 内从电源上吸纳足够的电流来驱动PCB上的传输线。电源总线上电压的瞬变取决于电源j线路径上的申。感、吸纳的电流以及电流的传输时间。电压的瞬变由公式所定义,L是电流传输路径上电感的值;dj表示信号上升时间间隔内电流的变化;dz表示d流的传输时间(信号的上升时间)的变化。

  由于IC管脚以及内部电路都是电源总线的一部分,而且吸纳电流和输出信号的上于时间也在一定程度上取决于汇的工艺技术,因此选择合适的汇就可以在很大程度上控伟上述公式中提到的三个要素。

  IC 封装通常包括硅基芯片、一个小型的内部PCB以及焊盘。硅基芯片安装在小型64PCB上,通过绑定线实现硅基芯片与焊盘之间的连接,在某些封装中也可以实现直接连接小型PCB实现硅基芯片上的信号和电源与汇封装上的对应管脚之间的连接,这样就实到了硅基芯片上信号和电源节点的对外延伸。因此,该汇的电源和信号的传输路径包括馅基芯片、与小型PCB之间的连线、PCB走线以及汇封装的输入和输出管脚。对电容和宅感(对应于电场和磁场)控制的好坏在很大程度上取决于整个传输路径设计的好坏,某些设计特征将直接影响整个IC芯片封装的电容和电感。

  先看硅基芯片与内部小电路板之间的连接方式。许多的汇芯片都采用绑定线来实颈硅基芯片与内部小电路板之间的连接,这是一种在硅基芯片与内部小电路板之间的极细6t电线。这种技术之所以应用广泛是因为硅基芯片和内部小电路板的热胀系数(CU)相近‘芯片本身是一种硅基器件,其热胀系数与典型的PCB材料(如环氧树脂)的热胀系数有相大的差别。如:果硅基芯片的电气连接点直接安装在内部小PCB上的话,那么在一段相对较短的时间之后,IC封装内部温度的变化导致热胀冷缩,这种方式的连接就会因为断裂而失效。绑定线是一种适应这种特殊环境的引线方式,它可以承受较大负荷的弯曲变形而不容易断裂

  采用绑定线的问题在于,每一个信号或者电源线的电流环路面积的增加将导致电感值升高。获得较低电感值的优良设计就是实现硅基芯片与内部PCB之间的直接连接,也就是说硅基芯片的连接点直接联结在 PCB的焊盘上。这就要求选择使用一种特殊的PCB板基材料,这种材料应该具有极低的热膨胀系数。而选择这种材料将导致汇芯片整体成本的增加,因而采用这种工艺技术的芯片并不常见,但是只要这种将硅基芯片与载体PCB直接连接的IC存在:并且在设计方案中可行,那么采用这样的IC器件就是较好的选择。

  一般来说,在汇封装设计中,降低电感并且增大信号与对应回路之间或者电源与地之间电容是选择集成电路芯片过程的首要考虑因素。举例来说,小间距的表面贴装与大间距的表面贴装:工艺相比,应该优先考虑选择采用小间距的表面贴装工艺封装的汇芯片,而这两种类型的表面贴装工艺封装的IC芯片都优于过孔引线类型的封装。BGA封装的汇芯片同任何常用的封装类型相比具有最低的引线电感。从电容和电感控制的角度来看,小型的封装和更细的间距通常总是代表性能的提高。

  引线结构设计的一个重要特征是管脚的分配。由于电感和电容值的大小都取决于信号或者是电源与返回路径之间的接近程度,因此要考虑足够多的返回路径。

  电源管脚和地管脚应该成对分配,每一个电源管脚都应该有对应的地管脚相邻分布,而且在这种引线结构中应该分配多个电源管脚和地管脚对。这两方面的特征都将极大地降低电源和地之间的环路电感,有助于减少电源总线上的电压瞬变,从而降低EAdI。由于习惯上的原因,现在市场上的许多汇芯片并没有完全遵循上述设计规则,但IC设计和生产厂商都深刻理解这种设计方法的优点,因而在新的IC芯片设计和发布时IC厂商更关注电源的连接。

  理想情况下,需要为每一个信号管脚都分配一个相邻的信号返回管脚(如地管脚)。实际情况并非如此,众多的IC厂商是采用其他折中方法。在BGA封装中,一种行之有效的设计方法是在每组八个信号管脚的中心设置一个信号的返回管脚,在这种管脚排列方式下,每一个信号与信号返回路径之间仅相差一个管脚的距离。而对于四方扁平封装(QFP)或者其他鸥翼(gullw切g)型封装形式的IC来说,在信号组的中心放置一个信号的返回路径是不现实的,即便这样也必须保证每隔4到6个管脚就放置一个信号返回管脚。需要注意的是,不同的汇工艺技术可能采用不同的信号返回电压。有的IC使用地管脚(如TIL器件)作为信号的返回路径,而有的 IC则使用电源管脚(如绝大多数的ECI‘器件)作为信号的返回路径,也有的IC同时使用电源管脚和地管脚(比如大多数的CMoS器件)作为信号的返回路径。因此设计工程师必须熟悉设计中使用的IC芯片逻辑系列,了解它们的相关工作情况。

  IC芯片中电源和地管脚的合理分布不仅能够降低EMI,而且可以极大地改善地弹反射(groundboltnce)效果。当驱动传输线的器件试图将传输线下拉到逻辑低时,地弹反射却仍然维持该传输线在逻辑低闭值电平之上,地弹反射可能导致电路的失效或者出现故障。

  IC 封装中另一个需要关注的重要问题是芯片内部的PCB设计,内部PCB通常也是IC封装中最大的组成部分,在内部PCB设计时如果能够实现电容和电感的严格控制,将极大地改善系统的整体EMI性能。如果这是一个两层的PCB板,至少要求PCB板的一面为连续的地平面层,PCB板的另一面是电源和信号的布线层。更理想的情况是四层的PCB板,中间的两层分别是电源和地平面层,外面的两层作为信号的布线层。由于汇封装内部的PCB通常都非常薄,四层板结构的设计将引出两个高电容、低电感的布线层,它特别适合于电源分配以及需要严格控制的进出该封装的输入输出信号。低阻抗的平面层可以极大地降低电源总线亡的电压瞬变,从而极大地改善EMI性能。这种受控的信号线不仅有利于降低EMI,同样对于确保进出汇的信号的完整性也起到重要的作用。

  多层PCB线路板由两层以上的导电层(铜层)彼此相互叠加组成,铜层被树脂层(半固化片)粘接在一起,制造...

  拿到一块完好的电路板,看是否有位置偏高的元器件,如有先将元件位号、元件封装、温值等作详细记录。在拆卸...

  PCB完成铜厚是由PCB的基铜厚度加上板电和图电最终厚度,也就是说完成铜厚大于PCB的基铜,而我们的...

  电路板抄板,即在已经有电子产品实物和电路板实物的前提下,利用反向研发技术手段对电路板进行逆向解析,将...

  过孔(via)是多层PCB的重要组成部分之一,钻孔的费用通常占PCB制板费用的30%到40%。电...

  

  埋孔:Buried hole, PCB内部任意电路层的连接但未导通至外层。这个制程无法使用黏合後...

  盲孔:Blind Via Hole,将PCB的最外层电路与邻近内层以电镀孔连接,因为看不到对面,...

  了解自举电容自举电容首次充电电路的分析和搭建,分析电路不足并引出电流环和电压环;

  在示波器画面中我们看到了一个三角波,我们对它的宽度和幅值进行一个读数。从上升到降至5V,总共花费了2...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用28引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 μA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品聚焦 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用28引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 μA,具有一个省电引脚PD,可使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。       产品聚焦 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 允许选择缓冲/无缓冲基准电压输入 可编程输出范围(通过GAIN引脚):0至VREF 或0至2VREF...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用20引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 μA,具有一个省电引脚PD,可使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。产品聚焦 提供20引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 8位并行接口用于高字节和低字节载入(通过HBEN引脚控制)...

  信息优势和特点 双通道10位DAC、采用28引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V)、80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围: -40°C 至 105°C产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 µA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品特色 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 可编程输出范围(通过GAIN引脚): 0至VREF 或 0至2VREF...

  信息优势和特点 双通道10位DAC、采用24引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:--40°C 至105°C产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 µA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品特色 提供24引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 8位并行接口用于高字节和低字节载入(通过HBEN引脚控制)...

  信息优势和特点 低功耗、四通道16位DAC 14引脚 TSSOP 1.25 V/2.5 V、5 ppm/°C片内基准电压源 关断模式下的功耗:400 nA (5 V),200 nA (3 V) 2.7 V至5.5 V电源 通过设计保证单调性 上电复位至零电平或中间电平 3种关断功能 欲了解更多特性,请参考数据手册AD5666-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载AD5666-EP数据手册 军用温度范围(−55℃至+125℃) 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/14626 DSCC图纸号产品详情AD5666是一款低功耗、四通道、16位缓冲电压输出DAC,采用2.7 V至5.5 V单电源供电,通过设计保证单调性。AD5666内置一个片内基准电压源,内部增益为2。AD5666-1内置一个1.25 V、5 ppm/°C基准电压源,满量程输出可达到2.5 V;AD5666-2内置一个2.5 V、5 ppm/°C基准电压源,满量程输出可达到5 V。上电时,片内基准电压源关闭,因而可以用外部基准电压源。对DAC执行写操作将打开内部基准电压源。上述器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V(POR引脚低电平)或中间电平(POR引脚高电平)并保持该电平,直到执行一次有...

  信息优势和特点 16位单调性DAC,保证12位精度 提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP封装 上电复位至零电平或中间电平。 建立时间:10 µs 低功耗。采用2.7 V至5.5 V电源供电。3 V时典型功耗为0.35 mW,5 V时为0.7 mW,因而特别适合电池供电应用 关断功能。省电模式下,3 V时DAC的典型功耗为50 nA,5 V时为200 nA。产品详情AD5662属于nanoDAC®系列,是一款低成本、低功耗、单通道、16位、缓冲电压输出、保证单调性的模数转换器(DAC)。该器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V或中间电平(视型号而定),并保持该电平,直到执行一次有效的写操作为止。该器件的典型功耗为250 µA,还具有省电特性,在省电模式下,器件在5 V时的功耗降至1 µA,并提供软件可选输出负载。AD5662采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。产品特色 16位单调性DAC,保证12位精度。 提供8引脚SOT-23和8引脚MSOP封装。 上电复位至零电平或中间电平。 低功耗。采用2.7 V至5.5 V电源供...

  信息优势和特点 8引脚MSOP和8引脚LFCSP封装 集成内部基准电压源、完整的电压输出 每位1 mV,满量程:4.095 V 5 V单电源供电 无需外部元件 三线 MHz数据加载速率 低功耗:2.5 mW 产品详情AD5626属于nanoDAC®系列,是一款完整的串行输入、12位电压输出数模转换器(DAC),采用5 V单电源供电。它集成了DAC、输入移位寄存器和锁存、基准电压源和一个轨到轨输出放大器。AD5626单芯片DAC适合仅有5 V电源的系统应用,具有成本低、易于使用的特点。 AD5626可采用自然二进制以MSB优先加载方式编程。输出运算放大器摆幅可达到任一供电轨,且设置范围为0 V至4.095 V,分辨率为每位1 mV。它能提供5 mA的吸电流和源电流。片内集成经激光调整后的基准电压源,提供精确的4.095 V满量程输出电压。该器件采用高速、三线式、兼容数据输入(SDIN)的DSP、时钟(SCLK)和负载选通(LDAC)的串线接口。它还有芯片选择引脚,可连接多个DAC。上电时或用户要求时,CLR输入可将输出设置为零电平。AD5626的额定温度范围为-40℃至+85℃扩展工业温度范围。AD5626提供MSOP和LFCSP表面贴装两种封装。应用-便携式...

  信息优势和特点 6引脚LFCSP和SC70封装 微功耗工作:100 μA(最大值,5 V) 关断模式:0.2 μA(典型值,3 V) 单通道14位DAC B级积分非线 LSB A级积分非线 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 低功耗,串行接口采用施密特触发式输入 片内轨到轨输出缓冲放大器 SYNC中断设置 产品详情AD5641属于nanoDAC®系列,是一款单通道、14位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时典型功耗为75 μA,采用小型LFCSP和SC70封装。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5641采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与SPI®、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。这款器件的基准电压从电源输入获得,因此它具有最宽的动态输出范围。该器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。AD5641具有关断特性,在关断模式下,器件在3 V时的典型功耗降至0.2 μA,并能提供软件可选的输出负载。...

  信息优势和特点 单通道8/10/12位DAC,INL = 2 LSB 6引脚SC70封装 微功耗工作:5 V时最大电流100 µA 关断模式:150 nA (3 V) 采用2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 支持I2C®兼容型串行接口:标准(100KHz)、快速(400KHz)及高速(3.4MHz)模式 片内轨到轨输出缓冲放大器 工作温度范围:-40ºC至125ºC产品详情AD5602/AD5612/AD5622均属于nanoDAC®系列,分别是单通道、8/10/12位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时功耗小于100 µA,采用SC70小型封装。每个DAC都内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5602/AD5612/AD5622采用双线C兼容型串行接口,能够以标准(100 KHz)、快速(400 KHz)及高速(3.4 MHz)三种模式工作。三款器件的基准电压均从电源输入获得,因此具有最宽的动态输出范围。各器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。此外还具有关断特性,在关断模式下,器件在3 V时的功耗降至150 nA以下,并提供软件可选输出负载。可...

  信息优势和特点 6引脚LFCSP和SC70封装 微功耗工作:5 V时最大电流100 μA 关断模式:0.2 μA(典型值,3 V) 2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5601/AD5611/AD5621均属于nanoDAC®系列,分别是单通道、8/10/12位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时典型功耗为75 μA,采用小型LFCSP和SC70封装。这些器件内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5601/AD5611/AD5621采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与SPI、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。 三款器件的基准电压均从电源输入获得,因此具有最宽的动态输出范围。上述器件均内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。 此外还具有省电特性,在省电模式下,器件在3 V时的典型功耗降至0.2 μA,并且提供可由软件选择的输出负载。可通过串行接口进入关断模式。在正常工作模式下,这些器件具有低功耗特性,非常适合便携式电池供...

  信息优势和特点 单通道8/10/12位DAC,INL = 2 LSB 6引脚SC70封装 微功耗工作:5 V时最大电流100 µA 关断模式:150 nA (3 V) 2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 支持I2C®兼容型串行接口:标准(100KHz)、快速(400KHz)及高速(3.4MHz)模式 片内轨到轨输出缓冲放大器 工作温度范围:-40ºC至125ºC产品详情AD5602/AD5612/AD5622均属于nanoDAC®系列,分别是单通道、8/10/12位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时功耗小于100 µA,采用SC70小型封装。每个DAC都内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5602/AD5612/AD5622采用双线C兼容型串行接口,能够以标准(100 KHz)、快速(400 KHz)及高速(3.4 MHz)三种模式工作。 三款器件的基准电压均从电源输入获得,因此具有最宽的动态输出范围。各器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。此外还具有关断特性,在关断模式下,器件在3 V时的功耗降至150 nA以下,并提供软件可选输出负载。可通...

  信息优势和特点 单通道8/10/12位DAC,INL = 2 LSB 6引脚SC70封装 微功耗工作:5 V时最大电流100 µA 关断模式:150 nA (3 V) 2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 支持I2C®兼容型串行接口:标准(100KHz)、快速(400KHz)及高速(3.4MHz)模式 片内轨到轨输出缓冲放大器 工作温度范围:-40ºC至125ºC产品详情AD5602/AD5612/AD5622均属于nanoDAC®系列,分别是单通道、8/10/12位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时功耗小于100 µA,采用SC70小型封装。每个DAC都内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5602/AD5612/AD5622采用双线C兼容型串行接口,能够以标准(100 KHz)、快速(400 KHz)及高速(3.4 MHz)三种模式工作。 三款器件的基准电压均从电源输入获得,因此具有最宽的动态输出范围。各器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。此外还具有关断特性,在关断模式下,器件在3 V时的功耗降至150 nA以下,并提供软件可选输出负载。可通过...

  信息优势和特点 14位分辨率 ±1 LSB DNL单调性 ±1 LSB INL 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 建立时间:0.5 μs 二象限乘法基准电压输入,6.9 MHz带宽 上电预设到零电平或中间电平 动态复位到零电平或中间电平 三线式接口 紧凑型TSSOP-16封装产品详情AD5545/AD5555分别是16位/14位电流输出型数模转换器,设计采用5 V单电源供电,具有最高±15 V的双极性输出能力。为了建立满量程输出电流,需要使用一个外部基准电压源。与外部运算放大器一起使用来完成电流电压转换时,内部反馈电阻(RFB)可增强电阻和温度跟踪能力。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择(/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。附加LDAC功能支持同步更新操作。内部复位逻辑支持上电预设和动态复位到零电平或中间电平,具体取决于MSB引脚的状态。AD5545/AD5555采用紧凑型TSSOP-16封装,工作温度范围为–40°C至+85°C。应用 自动测试设备 仪器仪表 数字控制校准 工业控制PLC 可编程衰减器...

  信息优势和特点 16位分辨率 ±1 LSB DNL单调性 ±1 LSB INL 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 建立时间:0.5 μs 二象限乘法基准电压输入,6.9 MHz带宽 上电预设到零电平或中间电平 动态复位到零电平或中间电平 三线式接口 紧凑型TSSOP-16封装产品详情AD5545/AD5555分别是16位/14位电流输出型数模转换器,设计采用5 V单电源供电,具有最高±15 V的双极性输出能力。为了建立满量程输出电流,需要使用一个外部基准电压源。与外部运算放大器一起使用来完成电流电压转换时,内部反馈电阻(RFB)可增强电阻和温度跟踪能力。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择(/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。附加LDAC功能支持同步更新操作。内部复位逻辑支持上电预设和动态复位到零电平或中间电平,具体取决于MSB引脚的状态。AD5545/AD5555采用紧凑型TSSOP-16封装,工作温度范围为–40°C至+85°C。应用 自动测试设备 仪器仪表 数字控制校准 工业控制PLC 可编程衰减器...

  信息优势和特点 6引脚SC70和LFCSP封装 微功耗工作:5 V时最大电流100 μA 关断模式:0.2 μA(典型值,3 V) 2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 上电复位至0 V,具有掉电检测功能 3种关断功能 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台AD5601/AD5611/AD5621均属于nanoDAC®系列,分别是单通道、8/10/12位、缓冲电压输出DAC,使用2.7 V至5.5 V单电源供电,5 V时典型功耗为75 μA,采用小型LFCSP和SC70封装。这些器件内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5601/AD5611/AD5621采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与SPI、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。三款器件的基准电压均从电源输入获得,因此具有最宽的动态输出范围。上述器件均内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。 此外还具有省电特性,在省电模式下,器件在3 V时的典型功耗降至0.2 μA,并且提供可由软件选择的输出负载。可通过串行接口进入关断模式。在正常工作模...

  信息优势和特点 AD5553:14位分辨率 ±1 LSB DNL ±1 LSB INL 低噪声: 12 nV/√Hz 低功耗: IDD = 10 μA 建立时间:0.5 μs 四象限乘法基准电压输入 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 内置RFB便于电压转换 三线式接口 超紧凑的MSOP-8和SOIC-8封装产品详情AD5543/AD5553分别是16/14位、低功耗、电流输出、小尺寸数模转换器(DAC),设计采用5 V单电源供电,并在±10 V乘法基准电压下工作。满量程输出电流由所施加的外部基准电压(VREF)决定。与外部运算放大器一起使用时,内部反馈电阻(RFB)支持R-2R和温度跟踪,以便进行电压转换。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择(/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。AD5543/AD5553采用超紧凑(3 mm × 4.7 mm) MSOP-8和SOIC-8封装。应用 - 自动测试设备 - 仪器仪表 - 数字控制校准 - 工业控制PLC...

  信息优势和特点 16位分辨率 ±1 LSB DNL ±1 LSB INL 低噪声: 12 nV/√Hz 低功耗: IDD = 10 μA 建立时间:0.5 μs 四象限乘法基准电压输入 满量程电流:2 mA ±20%,VREF = 10 V 内置RFB便于电压转换 三线式接口 超紧凑的MSOP-8和SOIC-8封装AD5543-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载AD5543-EP数据手册(pdf) 军用温度范围(−55°C至+125°C) 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情AD5543/AD5553分别是16/14位、低功耗、电流输出、小尺寸数模转换器(DAC),设计采用5 V单电源供电,并在±10 V乘法基准电压下工作。满量程输出电流由所施加的外部基准电压(VREF)决定。与外部运算放大器一起使用时,内部反馈电阻(RFB)支持R-2R和温度跟踪,以便进行电压转换。串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择 (/CS)引脚,提供高速、三线式微控制器兼容型输入。AD5543/AD5553采用超紧凑(3 mm × 4.7 mm) MSOP-8和SOIC-8封装。应用 - 自动测试设备 - 仪器仪表 - 数字控制校准 - 工业控制PLC...

  信息优势和特点 单通道10位DAC 6引脚SOT-23和8引脚μSOIC封装 微功耗:140 µA (5 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 2.7 V至5.5 V电源供电 通过设计保证单调性 基准电压从电源获得 低功耗,SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 上电复位至0 V 三种关断功能 低功耗串行接口,采用施密特触发式输入 片内轨到轨输出缓冲放大器 SYNC中断设置 通过汽车应用认证 产品详情AD53101是一款单通道、10位缓冲电压输出DAC,采用2.7 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为115 µA。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5310采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI™、QSPI™、MICROWIRE®、DSP接口标准兼容。这款器件的基准电压从电源输入获得,因此它具有最宽的动态输出范围。上述器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电平,直到对该器件执行一次有效的写操作为止。此外还具有省电特性,在省电模式下,器件在5 V时的功耗降至200 nA,并提供软件可选输出负载。可通过串行接口进入关断模式。 在...

  信息优势和特点 4个缓冲8位DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP封装A级积分非线 LSB,B级积分非线 LSB INL 低功耗工作:500 µA (3 V),600 µA (5 V) 2.5 V至5.5 V电源 通过设计对所有代码保证单调性 省电模式功耗:80 nA (3 V),200 nA (5 V) 双缓冲输入逻辑 输出范围:0 V至VREF 上电复位至0 V 同时更新各输出(LDAC功能) 低功耗,SPI®、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 片内轨到轨输出缓冲放大器 温度范围:–40°C至+105°C产品详情AD5304/AD5314/AD5324分别是四通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP两种封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500 µA。这些器件内置片内输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/µs。所用的三线 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容。四个DAC的基准电压均从一个基准电压引脚获得。利用软件LDAC功能则可以同时更新所有DAC的输出。上述器件均内置一个上电复位电...

  信息优势和特点 微功耗:140 µA (5 V),115 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 低功耗,SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 三种省电功能 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器 SYNC(低电平有效)中断设置 温度范围:-40°C至105°C产品详情AD5300是一款单通道、8位缓冲电压输出DAC,采用2.7 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为115 µA。它内置片内精密输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅。AD5300采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。 产品聚焦 提供6引脚SOT-23和8引脚MicroSOIC封装 低功耗,采用2.7 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.35 mW,5 V时功耗为0.7 mW 轨到轨输出,压摆率为1 V/µs 基准电压从电源获得 高速串行接口,时钟速率最高达30 MHz 与AD5300(8位)和AD5320(12位)引脚兼容、软件兼容AD5300的基准电压从电源输入获得,因此它具有最宽的动态输出范围。该器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V并保持该电...

  信息优势和特点 一个封装中集成两个8位DAC 微功耗:300 µA(5 V,包括基准电流) 省电模式:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 可选缓冲/无缓冲基准电压输入 输出电压:0-VREF 低功耗,SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器,通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 温度范围:-40°C至105°C 三种关断功能产品详情AD5302/AD5312/AD5322分别是双通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚mSOIC封装,采用+2.5 V至+5.5 V单电源供电,3 V时功耗为230 mA。这些器件内置片内输出放大器,能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/ms。AD5302/AD5312/AD5322采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。产品特色 提供10引脚MicroSOIC封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.7 mW,5 V时功耗为1.5 mW 微分非线 LSB 轨到轨输出,压摆率为0.7 V/µs 采用多功能三线式串行接口,...

  河北质工机械制造有限公司 招聘职位: 加工中心操作工,薪资:3.5K-5K,要求:加工中心操作工,能按要求完成生产任务,熟悉加工中心操作; 普铣技工,薪资3K-4K,要求:熟悉普通铣床操作,能按质按量完成生产任务;数控车床操作技工,薪资3K-5K,要求:能熟练操作数控车,熟悉广数系统;机加工厂学徒,薪资:1.8K--3K,要求:机加工厂学徒,包食宿。工作地点:县城北耿官屯工业区104国道路东,联系电话:

产品分类CATEGORY

    联系我们CONTACT

    全国服务热线:
    4006-026-000
    地 址:江苏省南京市西善桥南路118号利来国际平台大厦
    电 话:4006-026-000
    传 真:+86-25-52415096
    邮 箱:13254867@qq.com