进入陶瓷电容的容值变化的世界

2019-06-10 05:47字体:
  

  耐压和容值越来越大,陶瓷电容的使用范围越来越广。但是,你如果把陶瓷电容当做一个理想电容符号来使用的时候,可能会有意想不到的问题。

  在给出的多种电容类型中,最常用的是X5R、X7R。所有的型号在环境条件变化时都会出现电容值变化。尤其Y5V在整个环境条件区间内,会表现出极大的电容量变化。

  当电容公司开发产品时,他们会通过选择材料的特性,使电容能够在规定的温度区间(第一个和第二个字母),工作在确定的变化范围内(第三个字母)。我正在使用的是X7R电容,它在-55°C到+125°C之间的变化不超过±15%。

  当我们在电容两端加上电压时,我们发现电压就会导致电容值的变化(在耐压范围以内)。电容随着设置条件的变化量是如此之大。我选择的是一只工作在12V偏压下的耐压16V电容。数据表显示,4.7-μF电容在这些条件下通常只提供1.5μF的容量。

  我们可以看到,不同的型号,不同的耐压,不同的封装的电容,随着电压上升的下降趋势。

  除了上面描述的直流电压会影响电容的容值,在电容上面的交流量也会影响电容的容值。

  电容器(图3)中除有容量成分C外,还有因电介质或电极损耗产生的电阻(ESR)及电极或导线产生的寄生电感(ESL)。因此,Z的频率特性如图4所示呈V字型(部分电容器可能会变为U字型)曲线,ESR也显示出与损耗值相应的频率特性。

  低频率范围:低频率范围的Z与理想电容器相同,都与频率呈反比趋势减少。ESR值也显示出与电介质分极延迟产生的介质损耗相应的特性。

  共振点附近:频率升高,则Z将受寄生电感或电极的比电阻等产生的ESR影响,偏离理想电容器(红色虚线),显示最小值。Z为最小值时的频率称为自振频率,此时Z=ESR。若大于自振频率,则元件特性由电容器转变为电感,Z转而增加。低于自振频率的范围称作容性领域,反之则称作感性领域。

  高频范围:共振点以上的高频率范围中的Z的特性由寄生电感(L)决定。高频范围的Z可由公式(2)近似得出,与频率成正比趋势增加。

  以上为实际电容器的频率特性。重要的是,频率越高,就越不能忽视寄生成分ESR或ESL的影响。随着电容器在高频领域的应用越来越多,ESR和ESL与静电容量值一样,成为表示电容器性能的重要参数。

  以上就电容器寄生成分ESR、ESL对频率特性的巨大影响进行了说明。电容器种类不同,则寄生成分也会有所不同。接下来对不同种类电容器频率特性的区别进行说明。

  下图表示静电容量10uF各种电容器的Z及ESR的频率特性。除薄膜电容器以外,全是SMD型电容器。

  上图所示电容器的静电容量值均为10uF,因此频率不足1kHz的容量范围Z均为同等值。但1kHz以上时,铝电解电容器或钽电解电容器的Z比多层陶瓷电容器或薄膜电容器大,这是因为铝电解电容器或钽电解电容器的电解质材料的比电阻升高,导致ESR增大。薄膜电容器或多层陶瓷电容器的电极中使用了金属材料,因此ESR很低。

  多层陶瓷电容器和引脚型薄膜电容器在共振点附近的特性基本相同,但多层陶瓷电容器的自振频率高,感应范围的Z则较低。这是由于引脚型薄膜电容器中只有引脚线部分的电感增大了。

  由以上结果可以得出,SMD型的多层陶瓷电容器在较宽的频率范围内阻抗都很低,也最适于高频用途。

  下图为长度l缩短,宽度w增大的LW逆转型电容器。由图中的频率特性可知,即使容量相同,LW逆转型电容器的阻抗低于一般电容器,特性优良。使用LW逆转型电容器,即使数量少于一般电容器,也可获得同等性能,通过减少元件数量可以降低成本,缩减实装面积。

  多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成,失效形式为金属电极和陶介之间层错,电气表现为受外力(如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下)和温度冲击(如烙铁焊接)时电容时好时坏。

  热击失效的原理是:在制造多层陶瓷电容时,使用各种兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象,这种破裂往往从结构最弱及机械结构最集中时发生,一般是在接近外露端接和中央陶瓷端接的界面处、产生最大机械张力的地方(一般在晶体最坚硬的四角),而热击则可能造成多种现象:

  第二种裂缝也会由裸露在外的中央部份,或陶瓷/端接界面的下部开始,并随温度的转变,或于组装进行时,顺着扭曲而蔓延开来(见图4)。

  第一种形如指甲狀或U-形的裂縫和第二种隐藏在内的微小裂缝,两者的区别只是后者所受的张力较小,而引致的裂缝也较轻微。第一种引起的破裂明显,一般可以在金相中测出,第二种只有在发展到一定程度后金相才可测。

  当进行零件的取放尤其是SMT阶段零件取放时,取放的定中爪因为磨损、对位不准确,倾斜等造成的。由定中爪集中起来的压力,会造成很大的压力或切断率,继而形成破裂点。

  这些破裂现象一般为可见的表面裂缝,或2至3个电极间的内部破裂;表面破裂一般会沿着最强的压力线及陶瓷位移的方向。

  真空检拾头导致的损坏或破裂﹐一般会在芯片的表面形成一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。

  另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件中央的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容器的底部破损。

  电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及最后组装时,若焊锡组件受到扭曲或在焊锡过程后把电路板拉直,都有可能造成‘扭曲破裂’这类的损坏。

  在机械力作用下板材弯曲变形时,陶瓷的活动范围受端位及焊点限制,破裂就会在陶瓷的端接界面处形成,这种破裂会从形成的位置开始,从45°角向端接蔓延开来。

  1、电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙,或电介质层与相对电极间存在的空隙引起,使电极间是电介质层裂开,成为潜伏性的漏电危机;

  2、燃烧破裂的特性与电极垂直,且一般源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话,则它们应是由燃烧所引起;

  备注:原材失效类中第一种失效因平行电容内部层结构分离程度不易测出,第三种垂直结构金相则能保证测出

  由热击所造成的破裂会由表面蔓延至组件内部,而过大的机械性张力所引起的损害,则可由组件表面或内部形成,这些破损均会以近乎45°角的方向蔓延,至于原材失效,则会带来与内部电极垂直或平行的破裂。

  另外:热击破裂一般由一个端接蔓延至另一个端接﹐由取放机造成的破裂﹐则在端接下面出现多个破裂点﹐而因电路板扭曲而造成的损坏﹐通常则只有一个破裂点。

  文章出处:【微信号:Mouser-Community,微信公众号:贸泽电子设计圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  本课程主要讲的是前级驱动电路设计中的方波比较器的问题分析和改善。之前我们讲到可以让电容直接对电源进行放电,这样当原先的电

  本课程主要讲的是前级驱动电路设计中的方波比较器的问题分析和改善。之前我们讲到可以让电容直接对电源进行放电,这样当原先的电

  第一步拆电容:把主板翻过来,用堆焊法,即在一个电容的两个引脚分别用刀头铬铁加锡,然后迅速来回移动,使....

  要测量电容的容值最好是拆下来量是比较准确的。因为电容本身是个储能的原件,而且电路中其他原件对它的影响....

  工控电路板电容损坏的故障有:1. 容量变小,2. 完全失去容量; 3. 漏电; 4. 短路。

  三相电机可以改成单相吗 3个接点怎么接零火线伏三相电。需要注意的一点就是需要把原来380伏的星形接线改为三角形接....

  DN198 - 使用LTC1435A优化DC / DC转换器的输出电容

  DN198- 使用LTC1435A优化DC / DC转换器的输出电容...

  DARPA的下一代非神经神经技术(N 3)计划已经为六个小组提供资金,这些小组试图建立与植入电极的性....

  点焊机在焊接工件时,要想达到很好的焊接效果,既要达到产品的质量要求,又要良好的美观性,需要设置好点焊....

  点焊机焊接参数通常是根据工件的材料和厚度,参考该种材料的焊接条件选取。首先确定点焊机电极的端面形状和....

  这一类的电路通常用于低成本取得非隔离的小电流电源。它的输出电压通常可在几伏到三几十伏,取决于所使用的....

  电路设计时,应先测定负载电流的准确值,然后参考示例来选择降压电容器的容量。因为通过降压电容C1向负载....

  1、在3307的资料中看到3307-18的VDD使用1.8v供电(SGLS140A),这个是不是写错了?3307是2-6v供电范围。 2、slva056a.p...

  3843中在3角和4角之间接一个电容,电容上面并一个电阻~分别有什么作用呢?...

  RS485通讯线-C是美国电子工业协会EIA(Electronic Industry Association)制定的一种串行物理接口标准。RS是英文“推荐...

  很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大,为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来...

  The Programming Manual shows how to write and use the BASIC program to control the 4288A....

  

  故障判断和检修过程:因电源指示灯不亮,首先检查保险管是否开路,经检查保险管完好,综合故障现象,可以推....

  绕制完线圈,把不同颜色的两个线头拧在一起,用来接电池的正极。另外两个线头一个接发光二极管正极和三极管....

  LM2936Q使用说明中,提出输出电容不能用陶瓷电容。但是我用WEBENCH设计用陶瓷电容也没有发现问题。 请问,实际应用中...

  采用电容退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度,降低电源分配系统的阻抗都非常有效。...

  电化学阻抗是通过在电路上施加交流电位,测量电流得到的。假设施加正弦波电位激发信号,对应此电位响应的是....

  循环伏安法是一种常用的电化学研究方法。该法控制电极电势以不同的速率,随时间以三角波形一次或多次反复扫....

  1L、C元件称为“惯性元件”,即电感中的电流、电容器两端的电压,都有一定的“电惯性”,不能突然变化。....

  如果是新的,我们可以根据引脚的长度来判断,脚长的为正极,其次看白色银边的符号,有一字符号的为负极。

  马克思发生器是通过低压直流电源产生高压脉冲,通过电容并联充电再串联放电的高压装置,该结构由Erwin....

  有些电容漏电比较严重,用手指触摸时甚至会烫手,这种电容必须更换。   在检修时好时坏的故障时,排除了....

  洗衣机电路板维修方法——观察电路板上的元器件有没有被烧坏的。正常情况下, 电阻 即使被烧糊了,它的阻....

  王智杰课题组采用阳极氧化铝模板技术合成超长Cu2O纳米线年Fujishima和Honda首次报道利用TiO2电极在光电化学装置中实现分解水产氢以....

  被动元件第1季供给紧俏状况预期将延续到第2季。市场人士指出,目前汽车电子、工业规格等应用晶片电阻供不....

  电容,在中低频或直流情况下,就是一个储能组件,只表现为一个电容的特性,但在高频情况下,它就不仅仅是个....

  旁路电容(bypass电容):用于导通或者吸收某元件或者一组元件中交流成分的一种电容。通常交直流中的....

  电极电池的核心部分,它是由活性物质和导电骨架所组成。活性物质是指正、负极中参加成流反应的物质,是化学....

  大量晶振不起振造成整机无电问题,具体一点,晶体本身原因有,晶片碎裂、寄生、DLD不良、阻抗过大、频率....

  参数测试法:就是运用仪器仪表(如在线维修测试仪)测试电子设备电路中的电压值,电流值、元件数值、器件参....

  题主所说的是电子元件,元件和器件还是有本质区别的,元件就电阻,电容,电感这几种,它们在生产中不改变内....

  相信大家对负载电容很熟悉,下图中与晶振X1所并联的电容C1和C2就是负载电容,更换负载电容的容值可以....

  当充电电源与超级电容器断开后,由于其高内阻而开始失去电荷,这被称为自放电(Self-Discharg....

  本文主要介绍了贴片电容的更换方法,贴片电容电极与电解质电解电容电极上的活性事物以及电解质也会影响其改....

  本文首先介绍了贴片电容的概念,其次介绍了贴片电容作用,最后介绍了贴片电容区分正负极的方法。

  贴片电容如何识别?识别方法有哪些?,最近网上出现很多的贴片电容识别问题,很多人因为对贴片电容的容值识....

  电子元件(Electronic component),是组成电子产品的基础,常用的电子元件有:电阻、....

  人们常说“双拳难敌四手”,可见一个人要是能像哪吒一样有三头六臂,那也是挺威风挺厉害的。

  通过源电阻的泄漏电流,在变换器输入端引入电压降。其影响仍然是有限的(大约1kOhm),但是必须确保测....

  分布电容是指由非电容形态形成的一种分布参数。带电电缆、变压器对地都有一定的分布电容,而分布电容大小取....

  在电源电路中,整流电路将交流变成脉动的直流,而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容,利用其充放电....

  如额定最高温度为85℃的电解电容器在85℃的环境温度条件下寿命为1000小时,而环境温度降低到60℃....

  区别在于介质的不同、性能不同、容量不同、结构不同致使用环境和用途也不同。反过来讲,人们根据生产实践需....

  分布电容强调的是均匀性。寄生跟强调的是意外性,指不是专门设计成电容,却有着电容作用的效应,比如三极管....

  本文首先介绍了寄生电容的概念,其次介绍了寄生电容产生的原因,最后介绍了寄生电容产生的危害。

  这个问题是很多电子初学者都想知道的原理。其中,由于电感的储能方式现在依旧存在很多的争论,所以本文中的....

  随着现代科学技术的高速发展,我们的生活中越来越离不开各种各样的电子产品。很多好奇心比较重的朋友都喜欢....

  作为一种较常见的可植入电子仪器,心脏起搏器发放由电池提供能量的电脉冲,通过导线电极的传导去刺激电极接....

  要了解这些因素如何发挥作用,我们以使用固体钽电容在直流电源输出级平滑残留AC纹波电流为例。

  纸芯片制作简单,便携性好,样品用量少,成本低及易集成化等,其研究及应用日益受到关注。

  电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的,当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电,就破坏了绝....

  一、首先是锡炉的温度,锡炉温度会因为不同锡而有所差异,比如有铅的锡一般是265 +/-5度,而无铅锡....

  拜雅发布 MCE 85 BA 电池或幻象供电驻极电容枪式线 BA是一款为室内和户外拾音设计的专业驻极电容枪式话筒,将高品质和出色的指向性结合到轻量....

  电刺激还可以改善工作记忆——我们在思考、推理或解决问题时短时存储信息的能力

  研究结果很重要,主要有两个原因。首先,他们支持这样一种理论,即与年龄相关的大脑衰退是由于大脑区域之间....

  信息此瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时0.85 pF的低I / O电容,以及±8 kV接触放电的系统内ESD保护IEC 61000-4-2国际标准。该器件采用5引脚SOT-553封装。 2通道ESD保护 每通道0.85 pF典型负载电容 提供ESD保护EC61000-4-2第4级:8kV接触放电和15kV空气放电

  信息 CM1293A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,可将正或负ESD电流脉冲转向正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,有助于保护VCC轨道免受ESD冲击。 CM1293A可根据IEC 61000-4-2 Level 4标准防止高达±8kV接触放电的ESD脉冲。该器件特别适用于使用高速端口保护系统,如USB2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI以及可移动存储,数码摄像机,DVD-RW中的相应端口驱动器和其他应用中,在小封装尺寸中需要具有ESD保护的极低负载电容。 CM1293A系列器件具有符合RoHS标准的无铅表面处理。 高达±8kV接触放电的两个和四个ESD保护通道 最大2.0pF的低负载电容。 I / O电容的通道I / O典型值为1.5pF 齐纳二极管可保护电源轨并无需外部旁路电容...

  信息该瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时1 pF的低I / O电容,以及±8 kV接触放电的系统内ESD保护IEC 61000-4-2国际标准。 6通道ESD保护 典型每通道1pF负载电容 8kV ESD保护(IEC 61000-4-2,接触放电) 15kV ESD保护(IEC 61000-4-2,空气放电)

  信息 CM1230是一系列2通道,4通道和8通道,非常低电容的ESD保护二极管阵列,采用CSP封装。它是保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路的理想选择。每个通道由一对ESD二极管组成,这些ESD二极管用作钳位二极管,以将ESD电流脉冲引导至正或负电源轨。齐纳二极管集成在正负电源轨之间。 VCC轨道可防止ESD冲击,无需旁路电容即可吸收对地的正ESD冲击。每个通道可以安全地消除±8kV的ESD冲击,符合IEC61000-4-2国际标准的4级要求以及符合IEC61000-4-2规范的±15kV空气放电。 两个,四个和八个ESD保护通道 低负载电容典型值0.8pF 通道I / O与GND电容相差0.02pF典型值为差分信号的理想选择 随温度和电压变化的最小电容...

  信息 CM1224系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1224可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统,如USB 2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储中的相应端口,数码摄像机以及DVD- RW驱动器和其他需要极低负载电容和ESD保护的应用。 CM1224系列器件在小封装尺寸内具有无铅精加工。 两个或四个ESD保护通道,高达8kV接触放电 通用高速数据线ESD保护 低通道输入电容典型值为0.7pF,最小电容随温度和电压变化 典型值为0.02pF的通道输入电容匹配是差分信号的理想选择 齐纳二极管可保护电源轨,无需外部旁路电容...

  信息 CM1223系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,用于吸收正ESD冲击并为VP轨提供ESD保护。集成了一个额外的二极管作为反向驱动电流保护。 CM1223可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。此外,所有引脚都受到保护,免受大于±15kV的接触放电,如MIL-STD-883D(方法3015)人体模型(HBM)ESD规范所述。这些器件特别适用于使用高速端口保护系统,如USB2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储,数码摄像机,DVD-RW驱动器中的相应端口,以及在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。 CM1223系列器件采用符合RoHS标准的无铅封装制造。 两路,四路和八路ESD保护,并在所有线路上集成反向驱动保护 低通道输入电容为1.0pF(典型值),电容随温度和电压变化最小 通道I / O与GND电容差值典型...

  信息 CM1216系列二极管阵列为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。 CM1216可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±15kV的ESD脉冲。 六通道和八通道ESD保护 每个通道提供±15 kV ESD保护IEC 61000-4-2 ESD要求 通道负载电容典型值为1.6 pF...

  信息用于需要最小电容负载的电子元件或子系统。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1213可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。 6或8通道ESD保护 通道输入电容匹配为0.02pF 典型的差分信号非常理想 提供SOIC和MSOP,无铅 包装...

  信息 CM1213A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成,它们将正或负ESD电流脉冲引导至正(VP)或负(VN)电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间,具有两个优点。首先,它可以保护VCC导轨免受ESD冲击,其次,它不需要旁路电容,否则需要吸收正向ESD冲击接地。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统,如USB 2.0,IEEE1394(Firewire®,iLink™),串行ATA,DVI,HDMI和可移动存储中的相应端口,数码摄像机,DVD-RW驱动器和在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。...

  TPS736 单路输出 LDO、400mA、可调节电压(1.2 至 5.5V)、无电容、低噪声、反向电流保护

  信息描述 The TPS736xx family of low-dropout (LDO) linear voltage regulators uses a new topology: an NMOS pass element in a voltage-follower configuration. This topology is stable using output capacitors with low ESR, and even allows operation without a capacitor. It also provides high reverse blockage (low reverse current) and ground pin current that is nearly constant over all values of output current. The TPS736xx uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 1 µA and ideal for portable applications. The extremely low output noise (30 µVRMS with 0.1-µF CNR) is ideal for powering VCOs. These devices are protected by thermal shutdown and foldback current limit.特性Stable with No Output Capacitor or Any Value or Type of CapacitorInput Voltage Range of 1.7 V to 5.5 VUltra-Low Dropout Voltage: 75 mV...

  NCP1729 50 mA,35 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

  信息 NCP1729是CMOS电荷泵电压逆变器,设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作,输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为122μA,并提供省电关断输入,以进一步将电流降至仅0.4μA。该器件包含一个35 kHz振荡器,可驱动四个低阻MOSFET开关,产生26Ω的低输出电阻和99%的电压转换效率。该器件仅需两个外部3.3μF电容即可实现完整的逆变器,使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 NCP1729采用节省空间的TSOP-6(SOT-23-6)封装。 典型应用 •LCD面板偏差 •手机 •寻呼机 •个人数字助理 •电子游戏 •数码相机 可携式摄像机 •手持式仪器 优势特点 •工作电压范围为1.5 V至5.5 V •输出电流能力超过50 mA •低电流消耗122 A •省电关断输入,电流降低0.4 A •35 kHz运行 低输出电阻26 •节省空间的TSOP-6封装 •用于汽车和其他应用的NCV前缀需要独特的现场和控制变更要求; AEC-Q100认证和PPAP功能 •这些器件无铅且符合RoHS标准 规格参数 电路图、引脚图和封装图...

  MAX1720 50 mA,12 kHz开关电容电压反相器,带有关断功能

  信息 MAX1720是CMOS电荷泵电压逆变器,设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作,输出电流能力超过50 mA 。工作电流消耗仅为67?A,并提供省电关断输入,以进一步将电流降至仅为0.4?A。该器件包含一个12 kHz振荡器,可驱动四个低阻MOSFET开关,输出电阻低至26?电压转换效率为99%。该器件仅需两个外部10?F电容即可实现完整的逆变器,使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 MAX1720采用节省空间的TSOP-6薄型(SOT-23-6)封装。 工作电压范围1.15 V至5.5 V 输出电流能力超过50 mA 低电流消耗67μA 节能关断输入,降低电流0.4μA 12 kHz工作 低输出电阻26 节省空间的TSOP-6(SOT-23-6)封装 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  信息 LC717A10PJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置 6ms(典型值)(最小间隔配置) 用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型值) (V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:切换...

  信息 LC717A30UJ是一款高性能,低成本,高可用性的电容转换器,适用于静电电容式触摸和接近传感器。 8个电容感应输入通道,适用于需要一系列开关的任何终端产品。 LC717A30J通过其自动校准功能和最少的外部元件简化了系统开发时间。每个传感器的检测结果(ON / OFF)由串行接口(I C或SPI)读出。 检测系统:使用互电容的差分电容检测 传感器输入焊盘:使用小到大电容传感器输入焊盘工作 输入电容分辨率:电容检测低至毫微微法拉水平 8个传感器的测量时间为16 ms 最小外部组件 可选接口:I C或SPI 电流消耗:0.8 mA(V = 5.5 V) 供电电压:2.6至5.5 V AEC-Q100认证和PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...

  信息 LC717A10AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置时), 6ms(典型值)(最小间隔配置)

  用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型)(V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V

  信息 LC717A00AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态(ON / OFF)并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时,内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外,由于配置了参数的初始设置(例如增益),因此当应用推荐的开关模式时,LC717A00AR可以独立运行。此外,由于LC717A00AR具有与I C和SPI总线兼容的串行接口,因此可以根据需要使用外部设备调整参数。此外,8输入电容数据的输出可以作为8位数据进行检测和测量。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(8个差分输入): 18ms(典型值)(初始配置时), 3ms(Typ (最小间隔配置) 用于测量的外部元件:不需要 电流消耗:320μA(典型值)(V = 2.8 V), 740μA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:开关 接口:I C兼容总线或SPI可选。...

  信息 LC717A10AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的,因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果(ON / OFF)可以通过串行接口(I C兼容总线或SPI)读出。此外,每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外,可以使用串行接口调整增益和其他参数。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(16个差分输入): 30ms(典型值)(初始配置时), 6ms(典型值)(最小间隔配置)

  用于测量的外部组件:不需要 接口:I C兼容总线或SPI可选。 电流消耗:570μA(典型)(V = 2.8 V),1.3 mA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V

  信息 LC717A00AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能,低成本电容数字转换器LSI,尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态(ON / OFF)并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时,内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外,由于配置了参数的初始设置(如增益),因此在应用推荐的开关模式时,LC717A00AJ可以独立运行。此外,由于LC717A00AJ具有与I C和SPI总线兼容的串行接口,因此可以根据需要使用外部设备调整参数。此外,8输入电容数据的输出可以作为8位数据进行检测和测量。 检测系统:差分电容检测(互电容型) 输入电容分辨率:可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 测量间隔(8个差分输入): 18ms(典型值)(初始配置时), 3ms(Typ (最小间隔配置) 用于测量的外部元件:不需要 电流消耗:320μA(典型值)(V = 2.8 V), 740μA(典型值)(V = 5.5 V) 电源电压:2.6 V至5.5 V 检测操作:开关 接口:I C兼容总线或SPI可选。...

  TPD2E001-NM 用于高速数据接口的低电容2通道+/- 15kV ESD保护阵列

  信息描述 The TPD2E001 is a two-channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. The TPD2E001 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 Level 4 international standard.The DRS package (3.00 mm × 3.00 mm) is also available as a non-magnetic package for medical imaging applications.See also TPD2E2U06DRLR which is p2p compatible to TPD2E001DRLR and offers higher IEC ESD Protection, lower clamping voltage, and eliminates the input capacitor requirement.特性IEC 61000-4-2 ESD Protection (Level 4) ±8-kV Contact Discharge ±15-kV Air-Gap Discharge IO Capacitance: 1.5 pF (Typ) Low Leakage Current: 1 nA (Maximum) Low Supply Current: 1 nA 0.9 V to 5.5 V Supply-Voltage Range Space-Saving DRL, DRY, and QFN Package Options Alternate 3, 4, 6-Channel options Available: TPD3E001, TPD4E001,...

  信息 LA5797MC是可变电容二极管的电荷泵升压电源。 使用电荷泵,无需线圈。 合并了时基发生器(140kHz)。 内置热关断电路。

产品分类CATEGORY

    联系我们CONTACT

    全国服务热线:
    4006-026-000
    地 址:江苏省南京市西善桥南路118号利来国际平台大厦
    电 话:4006-026-000
    传 真:+86-25-52415096
    邮 箱:13254867@qq.com